Błysk NAND kontra NOR Flash
Pamięć flash jest jednym z najczęściej używanych nieulotnych typów pamięci półprzewodnikowych we współczesnych systemach komputerowych oraz w szerokiej gamie urządzeń mobilnych i konsumenckich. NAND flash i NOR flash to dominujące formy technologii flash. Technologia pamięci flash jest rozszerzeniem EEPROM, a NAND/NOR oznacza architekturę bramek używaną do budowy urządzeń pamięci.
Co to jest NAND Flash?
Układy pamięci flash są podzielone na segmenty wymazujące zwane blokami, a dane są w nich przechowywane. W architekturze NAND flash bloki te są połączone sekwencyjnie. Rozmiary bloków kasujących wynoszą od 8kB do 32kB, które są mniejsze, co pozwala na zwiększenie prędkości odczytu, zapisu i kasowania. Ponadto urządzenia NAND są podłączane za pomocą skomplikowanego interfejsu połączonego szeregowo, a interfejs może się różnić w zależności od producenta. Ogólnie rzecz biorąc, osiem pinów służy do przesyłania, kontrolowania i pobierania informacji o danych. W jednej chwili wykorzystywane są wszystkie osiem pinów, zazwyczaj przesyłając dane w seriach po 512 kB.
Strukturalna architektura NAND została zaprojektowana z myślą o zoptymalizowanej litografii o wysokiej gęstości, jako kompromis między możliwością dostępu losowego a mniejszym rozmiarem bloku. To sprawia, że pamięć flash NAND jest tańsza pod względem kosztu na wolumin. Teoretycznie gęstość błysku NAND jest dwa razy większa niż błysku NOR.
NAND flash jest odpowiedni do przechowywania danych. Karty PC, Compact Flash, karty SD i odtwarzacze MP3 używają pamięci flash NAND jako pamięci.
Co to jest NOR Flash?
Pamięć flash NOR jest starszym z dwóch typów pamięci flash. W wewnętrznej konfiguracji obwodu NOR flash poszczególne komórki pamięci są połączone równolegle; dlatego dane mogą być dostępne w kolejności losowej. Ze względu na tę możliwość swobodnego dostępu NOR ma bardzo krótkie czasy odczytu podczas pobierania informacji do wykonania. Lampa błyskowa typu NOR jest niezawodna i powoduje mniej problemów z przerzucaniem bitów.
Gęstość kasujących bloków w pamięci NOR jest mniejsza niż w architekturze NAND. Dlatego koszt na tom jest wyższy. Zużywa również wyższy poziom energii w trybie gotowości, chociaż podczas pracy zużywa stosunkowo mniej energii w porównaniu z pamięcią flash NAND. Również prędkość zapisu i kasowania jest niska. Ale wykonanie kodu z NOR flash jest znacznie wyższe ze względu na wbudowaną architekturę o dostępie swobodnym.
Pamięć błyskowa NOR jest używana do przechowywania kodów w urządzeniach, takich jak jednostki przechowywania kodów aparatów cyfrowych i innych wbudowanych aplikacji.
Jaka jest różnica między pamięcią NAND Flash a NOR Flash?
• NOR flash jest starszy niż architektura NAND flash.
• Pamięć flash NAND ma znacznie większą gęstość bloków kasujących niż pamięć flash NOR.
• W architekturze pamięci NAND flash, bloki kasujące są połączone sekwencyjnie, podczas gdy w pamięci flash NOR są one połączone równolegle.
• Typ dostępu NAND jest sekwencyjny, podczas gdy NOR ma dostęp losowy.
• Dlatego prędkość odczytu NOR jest większa niż NAND.
• Pamięć flash NOR ma bardzo niską prędkość kasowania w porównaniu do pamięci flash NAND, a prędkość zapisu pamięci NOR jest również niska.
• NAND może przejść przez 100 000-1 000 000 cykli kasowania, podczas gdy NOR może wytrzymać tylko około 10 000-100 000 cykli.
• NOR flash jest bardziej niezawodny i ma mniejszy procent odwracania bitów, podczas gdy flashy NAND wymagają dodatkowego bitu do zarządzania błędami.
• Pamięci flash NAND są odpowiednie do przechowywania danych, podczas gdy pamięci NOR są odpowiednie do przechowywania kodu.
• Pamięć flash NAND jest tańsza w porównaniu z pamięciami flash NOR pod względem kosztu jednostkowego.
Powiązane posty:
1. Różnica między dyskiem flash a pendrivem
2. Różnica między pamięcią flash a dyskiem twardym
3. Różnica między dyskiem flash a dyskiem kciukowym
