IGBT kontra GTO
GTO (Tyrystor wyłączający bramkę) i IGBT (tranzystor bipolarny z izolowaną bramką) to dwa typy urządzeń półprzewodnikowych z trzema zaciskami. Oba służą do sterowania prądami i do celów łączeniowych. Oba urządzenia mają terminal kontrolny zwany „bramą”, ale mają różne zasady działania.
GTO (Tyrystor wyłączający bramkę)
GTO składa się z czterech warstw półprzewodnikowych typu P i N, a konstrukcja urządzenia niewiele różni się od normalnego tyrystora. W analizie GTO jest również uważany za sprzężoną parę tranzystorów (jeden PNP i drugi w konfiguracji NPN), tak samo jak w przypadku normalnych tyrystorów. Trzy zaciski GTO są nazywane „anodą”, „katodą” i „bramą”.
Podczas pracy tyrystor działa jako przewodzący, gdy impuls jest dostarczany do bramki. Posiada trzy tryby działania znane jako „tryb blokowania wstecznego”, „tryb blokowania do przodu” i „tryb przewodzenia do przodu”. Gdy bramka zostanie wyzwolona impulsem, tyrystor przechodzi w „tryb przewodzenia do przodu” i kontynuuje przewodzenie, aż prąd przewodzenia stanie się mniejszy niż próg „prądu podtrzymania”.
Oprócz cech normalnych tyrystorów, stan wyłączenia GTO można również kontrolować za pomocą impulsów ujemnych. W normalnych tyrystorach funkcja „wyłączenia” odbywa się automatycznie.
GTO to urządzenia zasilające i są najczęściej używane w zastosowaniach prądu przemiennego.
Tranzystor bipolarny z izolowaną bramką (IGBT)
IGBT to urządzenie półprzewodnikowe z trzema terminalami znanymi jako „Emitter”, „Collector” i „Gate”. Jest to rodzaj tranzystora, który może obsłużyć większą ilość mocy i ma wyższą prędkość przełączania, co zapewnia wysoką wydajność. IGBT został wprowadzony na rynek w latach 80.
IGBT ma połączone cechy zarówno tranzystora MOSFET, jak i tranzystora bipolarnego (BJT). Jest sterowany bramką jak MOSFET i ma charakterystykę prądu, jak BJT. Dlatego ma zalety zarówno w zakresie przenoszenia wysokich prądów, jak i łatwości sterowania. Moduły IGBT (składające się z wielu urządzeń) obsługują kilowaty mocy.
Jaka jest różnica między IGBT a GTO?
1. Trzy zaciski IGBT są znane jako emiter, kolektor i bramka, podczas gdy GTO ma zaciski znane jako anoda, katoda i bramka.
2. Bramka GTO potrzebuje tylko impulsu do przełączania, podczas gdy IGBT potrzebuje ciągłego zasilania bramki.
3. IGBT to rodzaj tranzystora, a GTO to rodzaj tyrystora, który w analizie można uznać za ściśle połączoną parę tranzystorów.
4. IGBT ma tylko jedno złącze PN, a GTO ma trzy
5. Oba urządzenia są używane w aplikacjach o dużej mocy.
6. GTO potrzebuje urządzeń zewnętrznych do sterowania wyłączaniem i włączaniem impulsów, podczas gdy IGBT nie potrzebuje.
