BJT kontra FET
Zarówno BJT (Bipolar Junction Transistor), jak i FET (Field Effect Transistor) to dwa rodzaje tranzystorów. Tranzystor to elektroniczne urządzenie półprzewodnikowe, które daje bardzo zmieniający się elektryczny sygnał wyjściowy w przypadku niewielkich zmian w małych sygnałach wejściowych. Dzięki tej jakości urządzenie może być używane zarówno jako wzmacniacz, jak i przełącznik. Tranzystor został wydany w latach 50. XX wieku i można go uznać za jeden z najważniejszych wynalazków XX wieku, biorąc pod uwagę jego wkład w rozwój informatyki. Przetestowano różne typy architektur tranzystorowych.
Tranzystor dwubiegunowy (BJT)
BJT składa się z dwóch złączy PN (złącze utworzone przez połączenie półprzewodnika typu p i półprzewodnika typu n). Te dwa złącza są tworzone przez połączenie trzech części półprzewodnikowych w kolejności P-N-P lub N-P-N. Dostępne są dwa typy BJT znane jako PNP i NPN.
Trzy elektrody są połączone z tymi trzema częściami półprzewodnikowymi, a środkowy przewód nazywany jest „podstawą”. Pozostałe dwa skrzyżowania to „emiter” i „kolektor”.
W BJT prąd dużego kolektora-emitera (Ic) jest kontrolowany przez mały prąd podstawowy-emitera (IB) i ta właściwość jest wykorzystywana do projektowania wzmacniaczy lub przełączników. Tam za to można uznać za urządzenie napędzane prądem. BJT jest najczęściej używany w obwodach wzmacniaczy.
Tranzystor polowy (FET)
FET składa się z trzech terminali znanych jako „Gate”, „Source” i „Drain”. Tutaj prąd drenu jest kontrolowany przez napięcie bramki. Dlatego FET są urządzeniami sterowanymi napięciem.
W zależności od typu półprzewodnika użytego do źródła i drenu (w FET oba są wykonane z tego samego typu półprzewodników), FET może być urządzeniem z kanałem N lub P. Przepływ prądu ze źródła do drenu jest kontrolowany poprzez regulację szerokości kanału poprzez doprowadzenie odpowiedniego napięcia do bramki. Istnieją również dwa sposoby kontrolowania szerokości kanału, znane jako zubożenie i uwydatnienie. Dlatego FET są dostępne w czterech różnych typach, takich jak kanał N lub kanał P z trybem wyczerpywania lub wzmacniania.
Istnieje wiele typów FET, takich jak MOSFET (FET półprzewodnikowy z tlenkiem metalu), HEMT (tranzystor o wysokiej ruchliwości elektronów) i IGBT (tranzystor bipolarny z izolowaną bramką). CNTFET (Carbon Nanotube FET), który powstał w wyniku rozwoju nanotechnologii, jest najnowszym członkiem rodziny FET.
Różnica między BJT a FET
1. BJT jest w zasadzie urządzeniem napędzanym prądem, chociaż FET jest uważany za urządzenie sterowane napięciem.
2. Terminale BJT są znane jako emiter, kolektor i podstawa, podczas gdy FET składa się z bramki, źródła i drenu.
3. W większości nowych aplikacji FET są używane zamiast BJT.
4. BJT wykorzystuje do przewodzenia zarówno elektrony, jak i dziury, podczas gdy FET wykorzystuje tylko jeden z nich i dlatego jest określany jako tranzystory unipolarne.
5. FET są energooszczędne niż BJT.
